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| 半导体压阻传感器 | |
| 引用本文： | 张慎行.半导体压阻传感器[J].物理,1984(2). |
| 作者姓名： | 张慎行 |
| 作者单位： | 秦岭晶体管厂 |
| 摘 要： | 早在本世纪三十年代初期Bridgman 和Alien等人就对晶体的压阻效应做了很多工作.1954年C.S.Smith 发现了锗和硅的压阻效应.不久,Herring和Vogt等人对半导体的压阻效应进行了理论研究,提出了半导体能带结构的多谷模型,为半导体压阻传感器的出现奠定了理论基础. 一、半导体压阻效应1.半导体压阻效应的描述 和一切物体一样,当半导体受到外力作用时,其内部就伴随产生了与外力大小相等方向相反的内力.通常,把单位面积上的内力叫做应力. 半导体的电阻率随其内部应力的变化而发生的变化叫做半导体压阻效应. (1)压阻系数π 在一维情况下,压阻系数… |
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