| 微波等离子体化学气相沉积方法在Si衬底上生长SiC纳米线 |
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| 引用本文： | 胡颖. 微波等离子体化学气相沉积方法在Si衬底上生长SiC纳米线[J]. 物理学报, 2001, 50(12): 2452-2455 |
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| 作者姓名： | 胡颖 |
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| 作者单位： | 首都师范大学物理系,北京100037 |
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| 基金项目： | 北京市自然科学基金(批准号:2982011)资助的课题. |
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| 摘 要： | 应用微波等离子体化学气相沉积方法,在单晶Si(100)衬底上生长出SiC纳米线.应用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、能量损失谱(EDS)和选区电子衍射(SAD)等方法对纳米线化学组成和结构进行了分析和表征.给出该纳米线的生长机理关键词：微波等离子体化学气相沉积SiC纳米线生长机理
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| 关 键 词： | 微波等离子体化学气相沉积 SiC纳米线 生长机理 |
| 文章编号： | 1000-3290/2001/50(12)2452-04 |
| 收稿时间： | 2001-05-20 |
| 修稿时间： | 2001-07-05 |
SiC NANOWIRES GROWN ON SILICON(100) WAFER BY MPCVD METHOD |
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| HU YING. SiC NANOWIRES GROWN ON SILICON(100) WAFER BY MPCVD METHOD[J]. Acta Physica Sinica, 2001, 50(12): 2452-2455 |
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| Authors: | HU YING |
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| Abstract: | Silicon carbide nanowires have been grown on single crystal silicon wafers by using microwave plasma chemical vapor deposition method. The nanowires are analyzed by scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, energy dispersive spectroscopy and low-energy electron diffraction methods. The growth mechanism of nanowires is proposed. |
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| Keywords: | MPCVD SiC nanowires growth mechanism |
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