| GaAs pHEMT外延层转移技术研究 |
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| 引用本文： | 赵岩,吴立枢,石归雄,程伟,栗锐,陈堂胜,陈辰.GaAs pHEMT外延层转移技术研究[J].固体电子学研究与进展,2014(4). |
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| 作者姓名： | 赵岩 吴立枢 石归雄 程伟 栗锐 陈堂胜 陈辰 |
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| 作者单位： | 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室;南京电子器件研究所; |
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| 摘 要： | <正>随着化合物半导体技术日益成熟,利用晶体管级异构集成技术在同一芯片内实现Si CMOS与化合物半导体的集成以获得最佳的电路/系统性能,既是技术发展的内在需求也是后摩尔时代的必然趋势。南京电子器件研究所开展了基于外延层转移技术的晶体管级异构集成方面的研究,在国内首次将1.5|im厚的76.2 mm(3英寸)GaAs pHEMT外延层薄膜完整地剥离并转移到Si衬底上(如图1所示),
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| 关 键 词： | 外延层 GaAs pHEMT 晶体管级 化合物半导体 后摩尔时代 转移技术 系统性能 技术发展 器件性能 |
The Research of GaAs pHEMT Epitaxial Layer Transferring Technology |
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