| 温度对SiGe/Si异质结功率二极管电学特性的影响(英文) |
| |
| 引用本文： | 马丽,谢加强,陈琳楠,高勇. 温度对SiGe/Si异质结功率二极管电学特性的影响(英文)[J]. 固体电子学研究与进展, 2014, 0(6) |
| |
| 作者姓名： | 马丽 谢加强 陈琳楠 高勇 |
| |
| 作者单位： | 西安理工大学应用物理系;西安理工大学电子工程系; |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(51177133);陕西省教育厅科学研究计划项目(2013JK1105);西安理工大学博士启动金项目 |
| |
| 摘 要： | 在考虑到各种物理机制如载流子-载流子散射、俄歇复合、禁带窄化效应及结温效应等的基础上,数值模拟分析了SiGe/Si功率开关二极管的各种温度依赖特性。对Si和SiGe/Si功率二极管而言,温度对器件的正向压降VF、反向击穿电压VB以及反向漏电流JR的影响规律基本相似,即随着温度的升高,正向压降降低,击穿电压增加,反向漏电流迅速提高。然而在相同的温度下,与Si功率开关二极管相比,SiGe/Si二极管(20%Ge含量)的正向压降降低了近0.1V(在正向电流密度10A/cm2的情况下),反向恢复时间缩短了一半以上,反向峰值电流密度也下降了约三分之一,软度因子S提高了2倍多。SiGe二极管的另外一个重要优点是其反向恢复特性受温度影响很小。当温度从300K增加到400K时,Si功率二极管的反向恢复时间增加了近1倍,而SiGe/Si二极管(20%Ge含量)的反向恢复时间基本保持不变。SiGe/Si功率开关二极管的一个缺点是在高温下产生较大的漏电流,但这可以通过适当降低Ge含量来改善。Ge的引入为器件设计提供了更大的自由度,其含量对器件特性有重要影响。为了获得低的正向压降和短的反向恢复时间,应该提高Ge的含量,但Ge含量增加将导致大的漏电流,因此Ge含量的大小应该优化折衷考虑。
|
| 关 键 词： | 功率开关二极管 硅锗/硅异质结 温度特性 |
Temperature Effects on the Electrical Characteristics of SiGe/Si Heterojunction Power Diodes |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
