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| 离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究 | |
| 引用本文： | 雷红兵,杨沁清,王启明,周必忠,肖方方,吴名枋.离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究[J].半导体学报,1998,19(5):332-336. |
| 作者姓名： | 雷红兵 杨沁清 王启明 周必忠 肖方方 吴名枋 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，厦门大学物理系，北京大学技术物理系，集成光电子国家重点实验室 |
| 摘 要： | 本文详细地分析了离子注入掺铒硅的光致发光谱，有５个发光峰分别位于１．５３６μｍ、１．５５４μｍ、１．５７０μｍ、１．５９８μｍ和１．６４０μｍ，其中１．５３６μｍ发光峰最强．结合背散射谱，认为其有效的发光中心为处于Ｔｄ对称中心的填隙铒Ｅｒ３＋离子．在Ｅｒ与Ｏ、Ｎ、Ｃ共掺样品应分别存在Ｅｒ－Ｏ、Ｅｒ－Ｎ和Ｅｒ－Ｃ发光中心，其对应的ＰＬ发光峰分别为１．５７０μｍ、１．５３６μｍ和１．６０８μｍ． |
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