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纳米硅薄膜/多孔氧化铝复合体系光致发光的温度特性
引用本文:曹小龙,李清山,王清涛,张利宁.纳米硅薄膜/多孔氧化铝复合体系光致发光的温度特性[J].发光学报,2004,25(6):725-730.
作者姓名:曹小龙  李清山  王清涛  张利宁
作者单位:曲阜师范大学,物理系,山东,曲阜,273165;中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026
基金项目:山东省自然科学基金资助项目(Y2002A09)
摘    要:利用高真空电子束蒸发方法在多孔氧化铝衬底上生长了纳米硅薄膜,经过650℃高温真空退火后,在10~300K温度范围内观测样品的荧光光谱特性,并对样品进行了场扫描电镜(SEM)、傅里叶变换红外吸收(FTIR)光谱、X射线衍射(XRD)谱的分析。PL谱结果表明,随着温度的升高,样品的发光峰位一般发生红移,但在50~80K范围内却出现了反常的蓝移现象;样品的发光强度基本是按逐渐减小趋势变化的。在60~80K之间,发光强度有少许变强。讨论了纳米硅薄膜的光致发光机理,用量子限制-发光中心模型对实验现象进行了解释。

关 键 词:纳米硅  光致发光  量子限制-发光中心
文章编号:1000-7032(2004)06-0725-06
修稿时间:2003年12月22

Temperature Properties of Photoluminescence of Nanocrystalline Silicon Film/Porous Alumina Hybrid System
CAO Xiao-long,LI Qing-shan,WANG Qing-tao,ZHANG Li-ning.Temperature Properties of Photoluminescence of Nanocrystalline Silicon Film/Porous Alumina Hybrid System[J].Chinese Journal of Luminescence,2004,25(6):725-730.
Authors:CAO Xiao-long  LI Qing-shan  WANG Qing-tao  ZHANG Li-ning
Institution:CAO Xiao-long~1,LI Qing-shan~1,WANG Qing-tao~2,ZHANG Li-ning~1
Abstract:
Keywords:nano-crystalline silicon  photoluminescence  quantum confinement-luminescence center
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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