| 锰硅化物的固相反应生长研究 |
| |
| 引用本文： | 谢二庆,王文武,姜宁,贺德衍.锰硅化物的固相反应生长研究[J].物理学报,2002,51(4):873-876. |
| |
| 作者姓名： | 谢二庆 王文武 姜宁 贺德衍 |
| |
| 作者单位： | 谢二庆（兰州大学物理系,兰州,730000）
王文武（兰州大学物理系,兰州,730000）
姜宁（兰州大学物理系,兰州,730000）
贺德衍（兰州大学物理系,兰州,730000） |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:69806005)和甘肃省自然科学基金资助的课题. |
| |
| 摘 要： | 报道了利用固相反应方法在单晶Si(100)衬底上制备锰硅化物薄膜.实验发现,样品在固相反应过程中经历了两种相转变,即反应温度为450℃时形成了立方相MnSi,达到550℃时形成了四方相MnSi1.73.随着反应温度的提高,薄膜呈现取向生长.利用四探针法对固相反应过程中化合物薄层方块电阻的原位测量表明,立方相开始形成的温度约为410℃,由立方相向四方相转变的起始温度约为530℃.红外透过谱测量得到了不同结构相的红外吸收特征峰.
|
| 关 键 词： | 锰硅化物 原位方块电阻测量 固相反应 红外光谱 |
| 修稿时间： | 2001年7月29日 |
Phase transformation during the solid-phase growth of manganese silicides |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
