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| Ce, Y-TZP陶瓷的内耗峰和介电损耗峰机制 | |
| 作者姓名： | 杜娟 郑开云 万一叶 金学军 |
| 作者单位： | 上海交通大学,材料科学与工程学院,,上海,200030 上海交通大学,材料科学与工程学院,,上海,200030 上海交通大学,材料科学与工程学院,,上海,200030 上海交通大学,材料科学与工程学院,,上海,200030 |
| 摘 要： | 测量了淬火前后8Ce, 0.5Y-TZP陶瓷(稳定剂Y2O3的摩尔分数为0.50%)在室温到250℃温度范围内的内耗行为,并对出现的内耗峰机理进行了研究,发现淬火前后的样品在100℃左右均出现的内耗峰与YZr‘V偶极子的再取向有关,而淬火后样品出现的高温内耗峰起源于马氏体相变.此外,本文还研究了8Ce, 0.5Y-TZP和8Ce, 0.75Y-TZP陶瓷在室温到400℃温度范围内的介电损耗,计算了介电驰豫的激活能,结果表明与内耗试验中机械驰豫的激活能一致. |
| 关 键 词： | 内耗 介电损耗 陶瓷 偶极子 |
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