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| 不同γ脉冲宽度下CMOS电路闩锁阈值的数值模拟 | |
| 引用本文： | 王桂珍,林东生,杨善潮,郭晓强,李瑞斌,白小燕,龚建成.不同γ脉冲宽度下CMOS电路闩锁阈值的数值模拟[J].微电子学,2009,39(5). |
| 作者姓名： | 王桂珍 林东生 杨善潮 郭晓强 李瑞斌 白小燕 龚建成 |
| 作者单位： | 西北核技术研究所,西安,710024 |
| 摘 要： | 采用MEDICI软件,用电流注入和X射线辐照两种方法,对瞬态辐照引起的CMOS电路的闩锁特性进行模拟,研究了闩锁阈值与脉冲宽度的关系;将计算结果与实验测量结果进行比较,结果表明:随着脉冲宽度的增加,辐射损伤的剂量率阈值随之降低,而辐射损伤的总剂量阈值随之增加,CMOS电路的剂量率闩锁阈值与脉冲宽度的倒数成正比. |
| 关 键 词： | 瞬态辐照 闩锁阈值 脉冲宽度 CMOS电路 数值模拟 |
Numerical Simulation on Transient Latchup Threshold of CMOS Circuits with Different Pulse Widths |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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