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| 窄脉宽激光诱导背向选择性去除金属薄膜制备微电路(特邀)EI北大核心CSCD | |
| 作者姓名： | 崔佳琪 谢小柱 黄亚军 李兆艳 罗宇航 龙江游 |
| 作者单位： | 1.广东工业大学物理与光电工程学院510006;2.广东工业大学机电工程学院510006;3.广东工业大学实验教学部510006; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.52075103);广东省基础与应用基础研究基金区域联合基金重点项目(No.2020B1515120058);广东省基础与应用基础研究基金项目(No.2022A1515010614)。 |
| 摘 要： | 为了在透明基板上制备出导电性能良好的微电路,研究了窄脉宽激光正向和背向选择性去除金属薄膜制备的微结构形貌特征,开展了纳秒激光选择性去除Cu薄膜(厚度为150 nm)的实验和温度场仿真研究,揭示了正、背面去除的烧蚀机理和材料的喷射机制。实验结果表明,当激光脉冲能量为0.270~0.542μJ,扫描速度为2 mm/s时,激光诱导背向去除金属薄膜在加工质量方面优于正向加工,其去除几何精度高,轮廓边缘平整,几乎没有溅射。采用优化后的纳秒激光加工工艺参数,激光脉冲能量为0.403μJ,扫描速度2 mm/s,扫描线间距为3μm,制备出均匀分布的铜阵列图案。在相同参数下对玻璃基板上的铜薄膜背向选择性去除,得到具有良好导电性和粘附性的微电路。 |
| 关 键 词： | 窄脉宽激光 背面去除 温度场仿真 金属薄膜 微电路 |
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