硅在氧/三氯乙烯气氛中的热氧化

本文给出了硅在氧/三氯乙烯(TCE)混和物(0～1％)中,在900、1000和1100℃下热氧化的研究结果。通过对只产生Cl_2作为反应化合物的O_2/CCl_4系统的测量,补充了在气相中产生Cl_2、H_2O和HCl的O_2/三氯乙烯系统的测量数据。在1100℃下,当Cl_2浓度相同时,TCE和CCl_4这二种添加物给出相同的氧化速率,在较低的温度下,O_2/TCE系统给出较大的氧化速率。我们试图用线性-抛物线氧化速率方程式,描述这种氧化速率。所得到的有效速率常数与添加物浓度的依赖关系是相当复杂的,从而指出这种反应过程的复杂特点。本文对解释这些数据的机理的某些方面进行了讨论。