铯溅射型负离子源中Cs^+离了产额的实验研究 |
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引用本文: | 缴桂跃,姬成周.铯溅射型负离子源中Cs^+离了产额的实验研究[J].北京师范大学学报(自然科学版),1994,30(2):207-211. |
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作者姓名: | 缴桂跃 姬成周 |
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摘 要: | 通过电离表面的痕量分析和Cs^+离子产额的测量,研究了功函数、表面温度及铯通量等因素对铯溅型负离子源表面电离效率的影响。结合Langmuir-Saha表面电离理论,提示Cs^+离子产额饱和的原因。提出一项改进措施--透射型表面电离源,就其性能进行了讨论。
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关 键 词: | 铯溅射型 负离子源 铯离子 产额 |
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