离子注入中的硅片冷却

1.前言近几年来在半导体制造业中使用离子注入工艺已显著增加。这一迅速增长的主要因素是在注入工艺中采用光刻胶作掩蔽。最大分辨率是由正胶,即光刻时暴露在其中的部分显影时被去掉的那种胶取得的。通常,正胶对于温度相当敏感,在注入中过高的温度会使光刻胶产生气泡,改变临界尺寸并在其后工艺中使胶难以去除。大多数光刻胶在100℃以下不受影响。注入时几乎没有什么正胶能经得起150℃以上的温度。