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金属硫族化合物[Ni(en)3](Hen)SbSe4,[Sb(en)3]In3Te7的溶剂热生长及晶体结构
引用本文:陈震,陈日耀,郑曦,兰瑞芳,林智虹,黄子祥,吴锵金.金属硫族化合物[Ni(en)3](Hen)SbSe4,[Sb(en)3]In3Te7的溶剂热生长及晶体结构[J].高等学校化学学报,2001,22(11):1785-1789.
作者姓名:陈震  陈日耀  郑曦  兰瑞芳  林智虹  黄子祥  吴锵金
作者单位:1. 福建师范大学实验中心,福州,350007
2. 中国科学院福建物质结构研究所,福州,350002
基金项目:福建省自然科学基金,A9910009,
摘    要:以溶剂热生长技术(Solvothermal technique)在180 C下以氯化物与具有氧化性的M 2Q(M=K,Rb;Q=Te,Se)反应,制备出新的硫族化合物Ni(en)3](Hen)SbSe4(1),Sb(en)3]In3Te7(2).化合物1的阳离子基团为过渡金属Ni与乙二胺(en)的配合物Ni(en)3]2+及质子化的Hen]+阳离子,阴离子基团为具有分立结构的SbSe4]3-.化合物2的阳离子基团为Sb(en)3]3+,阴离子基团为具有二维结构的2∞In3Te7]3-.单晶X射线衍射结果表明,晶体1属三斜晶系,P1空间群,晶胞数据a=0.881 43(18)nm,b=0.962 35(19)nm,c=1.427 8(3)nm,α=104.74(3)°,β=92.47(3)°,γ=109.55(3)°,V=1.092 7(4)nm3,Z=2.晶体2属单斜晶系,P21/c空间群,晶胞数据:a=1.069 1(2)nm,b=1.693 2(3)nm,c=1.515 2(3)nm,α=90°,β=94.86(3)°,γ=90°.V=2.732 8(9)nm3,Z=4.

关 键 词:金属硫族化合物  晶体结构  溶剂热生长  制备          价键理论
文章编号:0251-0790(2001)11-1785-05

Sol vothermal Syntheses and Crystal Structures of Chalcogenides [Ni(en)3][Hen]SbSe4 and [Sb(en)3]In3Te7
CHEN Zhen ,CHEN Ri Yao,ZHENG Xi,LAN Rui Fang,LIN Zhi Hong.Sol vothermal Syntheses and Crystal Structures of Chalcogenides [Ni(en)3][Hen]SbSe4 and [Sb(en)3]In3Te7[J].Chemical Research In Chinese Universities,2001,22(11):1785-1789.
Authors:CHEN Zhen  CHEN Ri Yao  ZHENG Xi  LAN Rui Fang  LIN Zhi Hong
Institution:CHEN Zhen *,CHEN Ri Yao,ZHENG Xi,LAN Rui Fang,LIN Zhi Hong
Abstract:
Keywords:Chalcogenides  Crystal structure  Solvothermal synthesis
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