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| 若干第Ⅱ类超导体4πM-H曲线之研究 | |
| 作者姓名： | 葛英才 |
| 作者单位： | 冶金工业部有色金属研究总院 |
| 摘 要： | 研究了用电子积分技术测得的几种超导材料的4πM-H曲线.判定了H_(c1),H_(c2)表面粗糙的纯铌有很强的磁滞,表现为非理想第II类超导体.发现在柱状纯铌样品的4πM-H曲线上,有一体超导和表面超导的复合区.在4πM趋于零时,出现一突拐点.把从该点所作切线与H轴的交点定义为H_(c2)该拐点与定义的H_(c2)之间为复合区.把4πM=0时与H轴的交点定义为H_(c3)H_(c3)=4.10(kOe),且H_( c3)/H_(c2)=1.32. |
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