基于状态分析的电子系统抗辐射性能评估方法 |
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引用本文: | 韩峰, 刘钰, 王斌. 基于状态分析的电子系统抗辐射性能评估方法[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 084001. doi: 10.11884/HPLPB201628.150695 |
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作者姓名: | 韩峰 刘钰 王斌 |
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作者单位: | 1.西北核技术研究所, 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 71 0024;;;2.上海航天电子技术研究所, 上海 201 1 09 |
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摘 要: | 建立了一种基于状态分析的电子系统抗辐射能力评估方法,该方法以电子系统中单元器件的辐射效应实验数据为基础,采用行为级电路仿真方法对电子系统功能状态进行分析,并应用蒙特卡罗方法模拟辐射损伤随机性对系统功能状态的影响,最终结合系统功能阈值,给出系统功能的裕量及不确定度估计,进而对系统抗辐射能力进行评估。为了验证评估方法的可行性,应用该方法对某模数转换电子系统的抗总剂量能力进行了评估,并将评估结果与该电子系统的总剂量效应实验结果进行了对比。结果表明该评估方法能够定量给出系统功能在受到辐射损伤后的变化,评估方法给出结果与实验结果在变化趋势和评估结论上基本一致。
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关 键 词: | 电子系统 抗辐射能力 评估方法 蒙特卡罗方法 不确定度量化 |
收稿时间: | 2015-11-28 |
修稿时间: | 2016-01-21 |
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