| 高In组分InxGa1－xN/GaN多量子阱材料电致荧光谱的研究 |
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| 引用本文： | 邵嘉平,胡卉,郭文平,汪莱,罗毅,孙长征,郝智彪.高In组分InxGa1－xN/GaN多量子阱材料电致荧光谱的研究[J].物理学报,2005,54(8):3905-3909. |
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| 作者姓名： | 邵嘉平 胡卉 郭文平 汪莱 罗毅 孙长征 郝智彪 |
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| 作者单位： | 清华大学电子工程系，集成光电子学国家重点实验室，北京 100084 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划（批准号: TG2000036601）、国家高技术研究发展计划（批准号: 2001AA312190，2002AA31119Z）和国家自然科学基金（批准号: 60244001）资助的课题 |
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| 摘 要： | 研究了高In组分InxGa1-xN/GaN（x≈30%）多量子阱（MQWs）结构 发光二极管样品在不同注入电流下的电致荧光（EL）谱及反常的双峰现象.结果表明：有源区 内建电场在外界电流注入条件下逐渐受屏蔽，这一效应在高In组分InxGa1 -xN/GaN MQWs材料的发光复合机理中占有重要地位.
关键词：
xGa1-xN/GaN多量子阱')" href="#">InxGa1-xN/GaN多量子阱
电致荧光谱
内建电场
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| 关 键 词： | InxGa1-xN/GaN多量子阱 电致荧光谱 内建电场 |
| 文章编号： | 1000-3290/2005/54(08)/3905-05 |
| 收稿时间： | 2003-10-08 |
Study on electroluminescence spectra of In xGa1- xN/GaN-MQWs materials with high indium contents |
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| Shao Jia-Ping,Hu Hui,GUO Wen-ping,WANG Lai,Luo Yi,Sun Chang-Zheng,HAO Zhi-biao.Study on electroluminescence spectra of In xGa1- xN/GaN-MQWs materials with high indium contents[J].Acta Physica Sinica,2005,54(8):3905-3909. |
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| Authors: | Shao Jia-Ping Hu Hui GUO Wen-ping WANG Lai Luo Yi Sun Chang-Zheng HAO Zhi-biao |
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| Abstract: | In this work, the abnormal double-peak in the electroluminescence spectra of In xGa1-xN/GaN multiple quantum wells (MQWs) light emitting d iode s tructure materials with high indium contents was studied under different injecti on currents. The results show that the screening of internal electric field by i njection current plays an important role in the radiation recombination process of InxGa1-xN/GaN-MQWs materials. |
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| Keywords: | InxGa1-xN/GaN-MQWs electroluminescence spectra internal field |
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