| 位错对BBO晶体光学均匀性的影响 |
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| 引用本文： | 白若鸽,朱镛,陈创天. 位错对BBO晶体光学均匀性的影响[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(1): 11-14 |
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| 作者姓名： | 白若鸽 朱镛 陈创天 |
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| 作者单位： | 中国科学院理化技术研究所,北京,100080;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院理化技术研究所,北京,100080 |
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| 摘 要： | 本文报道了BBO晶体中位错密度对光学均匀性的影响.样品的光学均匀性是利用Wyko RTI 4100型干涉仪进行测量.采用侵蚀法观测BBO晶体{001}面的位错密度,在一定的侵蚀条件下,观察到BBO晶体{001}面上的位错露头为突起的正三方锥形,底边与X轴平行.在显微镜下测量出样品的蚀坑密度.实验证明,随着位错密度的增加BBO晶体的光学均匀性逐渐变差.
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| 关 键 词： | BBO晶体 化学腐蚀 蚀坑密度 光学均匀性 |
| 文章编号： | 1000-985X（2006）01-0011-04 |
| 收稿时间： | 2005-03-24 |
| 修稿时间： | 2005-03-24 |
Correlation between Dislocation Etch Pits and Refractive Index Inhomogeneity in BBO Crystal |
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| BAI Ruo-ge,ZHU Yong,CHEN Chuang-tian. Correlation between Dislocation Etch Pits and Refractive Index Inhomogeneity in BBO Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(1): 11-14 |
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| Authors: | BAI Ruo-ge ZHU Yong CHEN Chuang-tian |
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| Affiliation: | 1.Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China; 2. Graduate School of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | BBO crystal chemical etch etch pit density(EPD) refractive index inhomogeneity |
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