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放电过程对碳纳米管膜场发射性能的影响
引用本文:樊志琴,李瑞,蔡根旺,张君德,王建星.放电过程对碳纳米管膜场发射性能的影响[J].人工晶体学报,2012,41(4):1102-1106.
作者姓名:樊志琴  李瑞  蔡根旺  张君德  王建星
作者单位:河南工业大学理学院,郑州,450001
摘    要:利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,在不锈钢衬底上直接沉积碳纳米管膜.研究碳纳米管膜在放电过程中对其场发射性能的影响.通过XPS、Raman光谱等手段,分析碳纳米管膜在放电过程中sp2碳和sp3碳含量的变化,对碳纳米管膜场发射性能变化的根源进行研究.结果显示,在放电过程中,碳纳米管膜中sp2碳的含量减少,场发射性能变差.经过分析,我们认为发生这种现象的原因是:发射电子主要是从sp2碳发出的,sp2碳的减少直接影响了发射电子的减少,故其场发射性能降低.

关 键 词:碳纳米管  MPCVD  场发射  拉曼光谱  

Effect of Discharge Process on Field Emission Properties of Carbon Nanotubes Film
FAN Zhi-qin , LI Rui , CAI Gen-wang , ZHANG Jun-de , WANG Jian-xing.Effect of Discharge Process on Field Emission Properties of Carbon Nanotubes Film[J].Journal of Synthetic Crystals,2012,41(4):1102-1106.
Authors:FAN Zhi-qin  LI Rui  CAI Gen-wang  ZHANG Jun-de  WANG Jian-xing
Institution:(College of Science,Henan University of Technology,Zhengzhou 450001,China)
Abstract:
Keywords:carbon nanotube  MPCVD  field emission  Raman spectroscopy
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