| Si,As双注入GaAs的RTA研究 |
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| 引用本文： | 朱德华,李国辉,张通和,王玉琦,孙贵如.Si,As双注入GaAs的RTA研究[J].半导体学报,1990,11(2):140-143. |
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| 作者姓名： | 朱德华 李国辉 张通和 王玉琦 孙贵如 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理所，北京师范大学低能核物理所，北京师范大学低能核物理所，北京师范大学低能核物理所，冶金部有色金属研究总院 北京 |
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| 摘 要： | 本文研究了Si注入GaAs的快速退火(RTA)特性。得出930—950℃退火5s为最佳退火条件。测量结果表明,当注入剂量大于10~(13)cm~(-2)时,电子浓度呈饱和现象。为提高电子浓度本文提出Si,As双注入GaAs的方法,研究了(60—80)keV,(5—10)×10~(14)Si/cm~2+(150—180)keV,(5—30)×10~(14)As/cm~2注入并经RTA后的电特性。结果表明,双注入后样品中电子浓度有明显提高,对80keV,10~(15)Si/cm~2+150keV,3×10~(15)As/cm~2来说,电子浓度大于10~(19)cm~(-3)。TEM观察表明,双注入样品的剩余缺陷密度大大低于单注入的情况。本文并对双注入补偿机理进行了讨论。
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| 关 键 词： | Si As 注入了GaAs RTA 快速退火 |
RTA Study of Si,As Dual-Implantation into GaAs |
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| ZHU Dehua/Institute of Low Energy Nuclear Physics,Beijing Normal UniversityLI Guohui/Institute of Low Energy Nuclear Physics,Beijing Normal UniversityZHANG Tonghe/Institute of Low Energy Nuclear Physics,Beijing Normal UniversityWANG Yuqi/Institute of Low Energy Nuclear Physics,Beijing Normal UniversitySUN Guiru/General Institute of Nonferrous Metal,Beijing.RTA Study of Si,As Dual-Implantation into GaAs[J].Chinese Journal of Semiconductors,1990,11(2):140-143. |
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| Authors: | ZHU Dehua/Institute of Low Energy Nuclear Physics Beijing Normal UniversityLI Guohui/Institute of Low Energy Nuclear Physics Beijing Normal UniversityZHANG Tonghe/Institute of Low Energy Nuclear Physics Beijing Normal UniversityWANG Yuqi/Institute of Low Energy Nuclear Physics Beijing Normal UniversitySUN Guiru/General Institute of Nonferrous Metal Beijing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs Si+As dual-implantation Rapid themal annealing |
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