| GaAs表面硫钝化研究新进展 |
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| 引用本文： | 谢长坤,徐法强,徐彭寿.GaAs表面硫钝化研究新进展[J].物理,2000,29(11):673-678. |
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| 作者姓名： | 谢长坤 徐法强 徐彭寿 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学国家同步辐射实验室 合肥 230029 |
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| 摘 要： | ＧａＡｓ及其他Ⅲ－Ⅴ族半导体表面钝化一直是人们感兴趣的研究课题，在半导体器件制造工艺的发展中起着重要的作用，文章着重从钝化方法和钝化机理两方面简单地回顾了近年来ＧａＡｓ表面硫钝化的最新研究进展。
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| 关 键 词： | 表面复合 光致发光 砷化镓 电镜 半导体 |
| 修稿时间： | 2000年4月26日 |
RECENT DEVELOPMENTS IN GaAs SURFACE PASSIVATION BY SULFUR |
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| XIE Chang-Kun,XU Fa-Qiang,XU Peng-Shou.RECENT DEVELOPMENTS IN GaAs SURFACE PASSIVATION BY SULFUR[J].Physics,2000,29(11):673-678. |
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| Authors: | XIE Chang-Kun XU Fa-Qiang XU Peng-Shou |
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| Abstract: | Surface passivation of GaAs and other Ⅲ-Ⅴ sem iconductors plays an important role in the development of semiconductor devices. Recent developments of the sulfur passivation of GaAs surfaces are briefly revi ewed from the aspects of both methodology and mechanism. |
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| Keywords: | GaAs passivation surface recombination photoluminescence |
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