多晶硅薄膜低温学参数的模拟与分析

本研究了多晶硅薄膜在７７Ｋ下的电导率和迁移率特性。在多晶硅晶粒间界杂质分凝模型和界面载流子陷阱模型基础上，考虑载流子对晶粒间界势垒区的隧穿和热射两种机制，对多晶硅薄膜电导率和迁移率的低温特性及其温度关系进行了模拟与分析，并与有关实验结果进行了比较。