首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

Hg1-xCdxTe在高压下的电学性质、状态方程与相变
引用本文:鲍忠兴,褚君浩,柳翠霞,顾惠成,刘克岳,李标,王金义.Hg1-xCdxTe在高压下的电学性质、状态方程与相变[J].高压物理学报,2000,14(1):28-32.
作者姓名:鲍忠兴  褚君浩  柳翠霞  顾惠成  刘克岳  李标  王金义
作者单位:1. 中国科学院物理研究所,北京,100080;中国科学院国际材料物理中心,沈阳,110015;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083
2. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083
3. 中国科学院物理研究所,北京,100080
4. 华北光电研究所,北京,100015
基金项目:中国科学院红外物理国家重点实验室基金资助
摘    要:在金刚石压砧装置上,采用电阻和电容测量方法研究了Hg1-xCdxTe(x=0.19,0.22)在室温下、20GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明:它们分别在0.7~1.8GPa与8.6GPa左右以及在1.6GPa左右与8.3GPa左右发生了两次电子结构相变;分别在2GPa左右与8.6GPa以上以及在1.6GPa左右与8.3GPa以上发生了两次晶体结构相变。同时,还在活塞-圆筒式p-V关系

关 键 词:电阻  电容  状态方程  相变  半导体  高压

ELECTRICAL PROPERTIES,EQUATIONS OF STATE AND PHASE TRANSITIONS IN Hg1-xCdxTe AT HIGH PRESSURE
BAO Zhong-xing,CHU Jun-hao,LIU Cui-xia,GU Hui-cheng,LIU Ke-yue,LI Biao,WANG Jin-yi.ELECTRICAL PROPERTIES,EQUATIONS OF STATE AND PHASE TRANSITIONS IN Hg1-xCdxTe AT HIGH PRESSURE[J].Chinese Journal of High Pressure Physics,2000,14(1):28-32.
Authors:BAO Zhong-xing  CHU Jun-hao  LIU Cui-xia  GU Hui-cheng  LIU Ke-yue  LI Biao  WANG Jin-yi
Institution:BAO Zhong xing 1,2,3,CHU Jun hao 3,LIU Cui xia 1,GU Hui cheng 1,LIU Ke yue 4,LI Biao 3,WANG Jin yi 4
Abstract:
Keywords:resistance  capacitance  equation  of  state  phase  transition  
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号