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| Materials and device properties of pseudomorphic In x Ga1−x As/Al0.3Ga0.7As/GaAs high electron mobility transistors (0<x<0.5) | |
| 摘 要： | |
| 收稿时间： | 15 February 1991 |
| 修稿时间： | 26 April 1991 |
| 本文献已被 SpringerLink 等数据库收录！ | |
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