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| 杨氏双缝干涉远场中的能流密度分布 | |
| 作者姓名： | 吴美娟 |
| 作者单位： | 清华大学 |
| 摘 要： | 在光学教学中,每当讲到光的干涉部分时总有学生要问:干涉场中的能流密度是如何分布的?具体到杨氏双缝干涉,一条缝光源单独存在时,屏上各点的光强均为I,为什么两条相干缝光源同时存在时屏上干涉相消处的光强为零、干涉相长处的光强为4I?干涉场中的能流与按几何光学方法计算的能流是否相等? 上述问题的提出,反映了学生对干涉现象与几何光学中能流密度分布的概念之间的矛盾没有得到解决感到不满足,希望能够对此给予说明.本文将从麦克斯韦电磁理论出发,通过定性地讨论干涉场中场强和能流的传播、定量地讨论干涉远场中能流密度的分布,来阐述干涉… |
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