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| 分子束薄膜淀积 | |
| 引用本文： | 殷庆,志全.分子束薄膜淀积[J].微电子学,1972(5). |
| 作者姓名： | 殷庆 志全 |
| 摘 要： | 引言砷化镓的宽禁带和高电子迁移率原则上适用于高频和高温器件的多样性。这些器件的大多数,诸如注入激光器、电光学相调制器、光阴极和转移电子振荡器都需要多薄层结构。分子束外延(MBE)提供了生长具有可控电学和物理学特性的薄单晶砷化镓的可能性, |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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