| 丁基罗丹明B-Bi(Ⅲ)-SCN~--PVA-Tween-80体系荧光熄灭法测定痕量铋 |
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| 引用本文： | 赵慧春,张连青.丁基罗丹明B-Bi(Ⅲ)-SCN~--PVA-Tween-80体系荧光熄灭法测定痕量铋[J].分析试验室,1992(1). |
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| 作者姓名： | 赵慧春 张连青 |
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| 作者单位： | 北京师范大学化学系，北京师范大学化学系 北京 100875，85级毕业生 北京 100875 |
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| 摘 要： | 本文研究了在PVA和Tween 80存在下,铋离子与硫氰酸钾和丁基罗丹明B形成缔合型三元配合物,使丁基罗丹明B的荧光熄灭,建立了痕量铋的荧光分析新方法。工作曲线线性范围为0～5.0μg/25mL。方法灵敏度高,ε_(588)为3.5×10~5L·mol~(-1)·cm~(-1),操作简便。用于铸铁中痕量铋的测定,结果满意。
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| 关 键 词： | 铋测定 硫氰酸钾 丁基罗丹明B 荧光熄灭 |
A Fluorescence-Quenching Method with Butyirhodamine B-Bi-SCN~--PVA-Tween-80 for the Determination of Trace Bismuth |
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| Zhao Huichun and Zhang Lianqing.A Fluorescence-Quenching Method with Butyirhodamine B-Bi-SCN~--PVA-Tween-80 for the Determination of Trace Bismuth[J].Chinese Journal of Analysis Laboratory,1992(1). |
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| Authors: | Zhao Huichun and Zhang Lianqing |
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| Keywords: | Bismuth determination Thiocyanate Butylrhodamine B Fluorescence quenching |
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