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| 背面通孔工艺对砷化镓滤波器性能的影响 | |
| 引用本文： | 彭挺,闫未霞,郭盼盼,强欢,莫中友,陈超,王世伟,孔欣.背面通孔工艺对砷化镓滤波器性能的影响[J].电子工艺技术,2021,42(2):70-73. |
| 作者姓名： | 彭挺 闫未霞 郭盼盼 强欢 莫中友 陈超 王世伟 孔欣 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第二十九研究所,四川成都610036 |
| 摘 要： | 滤波器作为微波系统中的无源器件,在现代电子通信中具有非常重要的应用.采用砷化镓无源器件集成工艺制作了滤波器,在制作工艺中重点研究了背面通孔工艺对滤波器性能的影响.首先讲述了IPD工艺,然后通过分析背面通孔不同位置的侧向蚀刻,经过测试数据的分析对比,进而说明侧向蚀刻对滤波器性能的影响.通过以上的分析结果,为后续滤波器工艺... |
| 关 键 词： | 砷化镓 滤波器 背面通孔 侧向蚀刻 |
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