| Au-GaN肖特基结的伏安特性 |
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| 引用本文： | 林兆军,张太平,武国英,王玮,阎桂珍,孙殿照,张建平,张国义.Au-GaN肖特基结的伏安特性[J].半导体学报,2000,21(4):369-372. |
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| 作者姓名： | 林兆军 张太平 武国英 王玮 阎桂珍 孙殿照 张建平 张国义 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子所!北京100871(林兆军，张太平，武国英，王玮，阎桂珍)，中国科学院半导体研究所新材料部!北京100083(孙殿照，张建平)，北京大学物理系!北京100871(张国义) |
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| 摘 要： | 在 MBE和 MOCVD两种方法制备的 n- Ga N材料上制作了 Au- Ga N肖特基结 ,测定了肖特基结的室温 I- V特性 .分析表明 :Ga N材料的载流子浓度对肖特基结的特性有很大的影响
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| 关 键 词： | MBE MOCVD GaN 肖特基结 伏安特性 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)04-369-04 |
| 修稿时间： | 1998年11月23日 |
I-V Characteristics of Au-GaN Schottky Junction |
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| LIN Zhao\|jun,ZHANG Tai\|ping,WU Guo\|ying,WANG Wei,YAN Gui\|zhen,SUN Dian\|zhao ,ZHANG Jian\|ping and ZHANG Guo\|yi.I-V Characteristics of Au-GaN Schottky Junction[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(4):369-372. |
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| Authors: | LIN Zhao\|jun ZHANG Tai\|ping WU Guo\|ying WANG Wei YAN Gui\|zhen SUN Dian\|zhao ZHANG Jian\|ping and ZHANG Guo\|yi |
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| Institution: | LIN Zhao\|jun,ZHANG Tai\|ping,WU Guo\|ying,WANG Wei,YAN Gui\|zhen,SUN Dian\|zhao 1,ZHANG Jian\|ping 1 and ZHANG Guo\|yi 2 |
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| Abstract: | Au\|GaN Schottky junction has been fabricated on n\|GaN materials by MOCVD and MBE.I\|V characteristics of the Schottky junctions have been determined at room temperature.It is shown that Schottky junction characteristics are seriously affected by the carrier concentration of GaN materials. |
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| Keywords: | MBE MOCVD GaN Schottky junction I\|V characteristics |
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