| 光化学氧化对多孔硅稳定性及SO2传感性能影响 |
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| 引用本文： | 黎学明,王力春,杨建春. 光化学氧化对多孔硅稳定性及SO2传感性能影响[J]. 应用化学, 2007, 24(5): 512-516 |
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| 作者姓名： | 黎学明 王力春 杨建春 |
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| 作者单位： | 1. 重庆大学化学化工学院,重庆,400044
2. 教育部,光电技术及系统重点实验室,重庆 |
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| 摘 要： | 采用光化学氧化方法对多孔硅进行后处理,获得具有良好稳定性的氧化多孔硅;采用SEM、AFM、FT-IR进行表征;通过SO2传感实验,评价其光致发光谱的变化。结果表明,采用电化学阳极氧化制备的新鲜多孔硅在空气中稳定性较差,SEM图表明其膜层分布有120×40μm的长方形小块,光化学氧化后使该长方形小块进一步分裂变细;AFM图表明,新鲜制备的多孔硅经稳定化处理后,表面硅柱宽度由700～750 nm变为300～350 nm,高度由50～58 nm变为40 nm;出现Si—O键(1 114 cm-1)和OSi—H键(2 249 cm-1)的振动峰;该氧化多孔硅在SO2介质中呈可逆的荧光猝灭特征,荧光峰的位置不随SO2浓度变化而发生移动,稳定性较好。
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| 关 键 词： | 多孔硅 光致发光 |
| 文章编号： | 1000-0518(2007)05-0512-05 |
| 修稿时间： | 2006-06-18 |
Effect of Photochemical Oxidization on Stability and SO2 Sensing Performance of Porous Silicon |
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| LI Xue-Ming,WANG Li-Chun,YANG Jian-Chun. Effect of Photochemical Oxidization on Stability and SO2 Sensing Performance of Porous Silicon[J]. Chinese Journal of Applied Chemistry, 2007, 24(5): 512-516 |
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| Authors: | LI Xue-Ming WANG Li-Chun YANG Jian-Chun |
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| Affiliation: | 1. College of Chemistry and Chemical Engineering, Chongqing ; 2.MOE Key Laboratory of Optoelectronic Technology and System, Chongqing University, Chongqing 400044 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SO2 |
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