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| 影响NiCr薄膜电阻器TCR与长期稳定性的主要因素 | |
| 引用本文： | 赵志海.影响NiCr薄膜电阻器TCR与长期稳定性的主要因素[J].电子工艺技术,1984(10). |
| 作者姓名： | 赵志海 |
| 作者单位： | 电子工业部第二十研究所 |
| 摘 要： | 引言利用真空淀积技术制作金属膜电阻器已有三十年历史。三十年来,尽管作了大量的研究与探索,但至今广泛用来制作精密薄膜电阻器的材料,仍然只有二种:NiCr和Ta基。NiCr膜可以得到很低的温度系数(TCR),Ta基膜的稳定性(△R/R)很好。目前,在精密薄膜电阻制作上,美、日以Ta基为主,西欧则广泛应用NiCr材料。国内很多单位用NiCr薄膜作电阻器网络,而 |
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