| 阳极氧化TiO2纳米管阵列的制备与掺杂* |
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| 引用本文： | 管东升,方海涛,逯好峰,孙涛,李峰,刘敏.阳极氧化TiO2纳米管阵列的制备与掺杂*[J].化学进展,2008,20(12):1868-1879. |
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| 作者姓名： | 管东升 方海涛 逯好峰 孙涛 李峰 刘敏 |
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| 作者单位： | （1. 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院 哈尔滨150001；
2. 中国科学院金属研究所 沈阳材料科学国家（联合）实验室 沈阳110016） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目，黑龙江省自然科学基金项目 |
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| 摘 要： | 近年来，TiO2纳米管阵列的制备与应用得到了广泛的研究。阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列具有工艺简单、成本低廉、易于放大等优点，引起了极大关注。本文综述了阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列的研究现状，基于TiO2纳米管阵列在阳极氧化过程中的生长机理，讨论了决定阳极氧化TiO2纳米管阵列形成的主要因素。结合本组的研究工作，总结了如何通过改变电压、升压速率、电解液、温度和氧化时间，实现纳米管管径、管壁厚度、管长的有效控制，提高TiO2纳米管阵列的表面形貌质量。最后介绍了TiO2纳米管阵列掺杂改性方面的研究进展。
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| 关 键 词： | 阳极氧化 TiO2纳米管 掺杂 |
| 收稿时间： | 2008-04-21 |
| 修稿时间： | 2008-07-19 |
Preparation and Doping of Anodic TiO2 Nanotube Array |
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| Guan DongshengFang Haitao Lu Haofeng Sun TaoLi Feng Liu Min.Preparation and Doping of Anodic TiO2 Nanotube Array[J].Progress in Chemistry,2008,20(12):1868-1879. |
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| Authors: | Guan DongshengFang Haitao Lu Haofeng Sun TaoLi Feng Liu Min |
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| Institution: | (1.School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China; 2. Shenyang National Laboratory for Materials Science, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016, China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | anodic oxidation TiO2 nanotube doping |
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