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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
Si衬底上生长的GaAs薄膜中0.96eV发光带的特性研究
作者姓名:
赵家龙
靳春明
高瑛
刘学彦
窦恺
黄世华
虞家琪
梁家昌
高鸿楷.
作者单位:
[1]中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室 [2]中国民用航空学院
摘 要:
利用变温和变激发强度的近红外光致发光,研究了Si衬底上生长的GaAs薄膜中0.96eV发光带的发光特性,讨论了其来源.根据0.96eV发光带的发光强度,峰值位置和半宽度随温度和激发强度的变化关系,获得了其热激活能,Huany-Rhys因子,振动声子能量和Frank-Condon位移.实验结果表明0.96eV发光带可能来源于砷空位施主-镓空位受主对之间的跃迁.
关 键 词:
硅衬底 砷化镓薄膜 发光带 薄膜生长
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