| 富镓GanAs团簇稳定性及缺陷特性的密度泛函理论研究 |
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| 作者姓名： | 马德明 乔红波 李恩玲 施卫 马优恒 |
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| 作者单位： | 西安理工大学应用物理系,西安理工大学应用物理系,西安理工大学应用物理系,西安理工大学应用物理系,西安应用光学研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（50837005）；陕西省教育厅自然科学基金（2010JK743）；教育部博士学科点专项科研基金（20116118110014）；陕西省国际合作与交流科技计划项目（2012KW-04） |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理对富镓中性Gan As(n=1~9)团簇的稳定性及缺陷特性进行了研究.结果表明,随着总原子数的增大,各基态团簇结合能的二阶差分值和团簇能隙差均呈奇偶交替变化规律,总原子数为奇数的团簇比总原子数为偶数的团簇稳定;部分团簇的能隙差小于砷化镓材料的禁带宽度,为砷化镓材料缺陷的研究提供了帮助,其中GaAs团簇缺陷中的VAs VGa缺陷导致能带中的Γ点处的带隙宽度减小,其最低施主缺陷能级位于导带底以下0.39eV,该值接近于EL6缺陷能级的实验值;团簇各基态结构的振动频率均在THz频段,从而为砷化镓材料的THz波辐射和缺陷的THz波检测提供了依据.
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| 关 键 词： | 密度泛函理论 GanAs团簇 结构稳定性 VAsVGa缺陷 |
| 修稿时间： | 2013-05-08 |
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