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| 碲镉汞光导器件与材料的对应关系 | |
| 引用本文： | 曾光丽,史向华.碲镉汞光导器件与材料的对应关系[J].红外与毫米波学报,1986,5(6). |
| 作者姓名： | 曾光丽 史向华 |
| 作者单位： | 昆明物理研究所，昆明物理研究所 株州南方动力机械公司332部设计所工作. |
| 摘 要： | 本文通过3～5μm多元光导器件的制备和实验,探讨了器件平均电阻R_D与材料电阻率ρ的关系,对器件和材料之间出现的不对应性进行了分析和研究。1.前言器件阻值影响到表征器件优劣的重要参数——探测率D。我们在制备3～5μm碲镉汞(以下简称CMT)12元光导器件的实践中,发现用固态再结晶N型CMT材料制成的器件,平均电阻R_D与材料电阻率ρ有对应关系的往往有较好的性能。而70%以上的器件, |
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