| MBE生长InAs/GaSbⅡ类超晶格材料的界面控制方法分析 |
| |
| 引用本文： | 任洋,李俊斌,覃钢,杨晋,李艳辉,周旭昌,杨春章,常超,孔金丞,李东升.MBE生长InAs/GaSbⅡ类超晶格材料的界面控制方法分析[J].红外技术,2021,43(4):301-311. |
| |
| 作者姓名： | 任洋 李俊斌 覃钢 杨晋 李艳辉 周旭昌 杨春章 常超 孔金丞 李东升 |
| |
| 作者单位： | 昆明物理研究所,云南昆明 650223 |
| |
| 摘 要： | 本文系统地介绍了MBE外延生长InAs/GaSbⅡ类超晶格材料的界面控制方法,主要包括生长中断法、表面迁移增强法、V族元素浸润法和体材料生长法.短波(中波)InAs/GaSb超晶格材料界面采用混合(mixed-like)界面,控制方法以生长中断法为主;长波(甚长波)超晶格材料界面采用InSb-like界面,控制方法采用...
|
| 关 键 词： | InAs/GaSb Ⅱ类超晶格 InSb-like界面 GaAs-like界面 生长中断法 MEE |
| 收稿时间： | 2020-12-19 |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《红外技术》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《红外技术》下载免费的PDF全文 |
|
