| 应用于MEMS的单晶硅上无电镀铜、镀镍工艺 |
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| 引用本文： | 韩翔,李轶,吴文刚,闫桂珍,郝一龙.应用于MEMS的单晶硅上无电镀铜、镀镍工艺[J].半导体学报,2005,26(5):1059-1064. |
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| 作者姓名： | 韩翔 李轶 吴文刚 闫桂珍 郝一龙 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室,北京,100871 |
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| 摘 要： | 开发了单晶硅上的选择性无电镀铜、镀镍工艺，形成了较为优化的施镀流程，实现了保形性、均镀性较好的铜、镍及其复合镀层．其中针对单晶硅表面的特点，采取了浓酸处理和氧等离子轰击两种表面预处理方法，优化了氯化钯对表面的激活时间，使得镀层质量得到提高．提出了以镍作为中间层以减小镀层应力的方法，施镀后获得的铜镀层的电阻率为2.1μΩ·cm，铜/镍复合镀层的方块电阻为0.19Ω/□．在单晶硅MEMS电感结构上实现了较好的无电镀铜，使得该元件的品质因数超过25．
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| 关 键 词： | 单晶硅 无电镀 铜 镍 MEMS电感 品质因数 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)05-1059-06 |
| 修稿时间： | 2004年7月18日 |
Electroless Copper and Nickel Plating on Single-Crystal Silicon for MEMS Applications |
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| HAN Xiang,Li Yi,Wu Wengang,Yan Guizhen,Hao Yilong.Electroless Copper and Nickel Plating on Single-Crystal Silicon for MEMS Applications[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(5):1059-1064. |
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| Authors: | HAN Xiang Li Yi Wu Wengang Yan Guizhen Hao Yilong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | single-crystal silicon electroless plating copper nickel MEMS inductor quality factor |
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