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| 三氧化二镓的高压拉曼光谱研究 | |
| 引用本文： | 张峰,陶雨,唐琦琪,吴彬彬,刘珊,雷力. 三氧化二镓的高压拉曼光谱研究[J]. 光散射学报, 2021, 33(1): 40-44 |
| 作者姓名： | 张峰 陶雨 唐琦琪 吴彬彬 刘珊 雷力 |
| 作者单位： | 四川大学原子与分子物理研究所,成都 610065 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家自然科学基金 |
| 摘 要： | β-Ga2O3是一种宽禁带半导体材料(Eg=4.8 eV).研究β-Ga2O3在高压(高应力)条件下的相稳定性和晶格动力学特性对其材料应用具有重要的参考价值.目前关于Ga2O3在高压下的晶格动力学特性研究较少,且Ga2O3的β→α的高压相变压力仍然具有争议.本工作采用基于金刚石压砧(DAC)的高压拉曼光谱技术研究了Ga... |
| 关 键 词： | Ga2O3 高压拉曼光谱 格林艾森参数 |
High-pressure Raman spectroscopy of Ga_2O_3 |
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