HCl热氧化工艺试验

在 MOS 器件工艺中,特别是栅氧化工艺中,如何能得到一个较为清洁的氧化层是十分重要的。据报导,在栅氧化过程中掺少量的 HCl 可以减少栅氧化层的 Na~ 离子沾污,控制开启电压,改善结特性,增加器件的稳定性,使合格率提高。为此,我们进行了掺 HCl 栅氧化工艺试验,已取得初步收获。