| 硅衬底超精密CMP中抛光液的研究 |
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| 引用本文： | 钟旻,张楷亮,宋志棠,封松林.硅衬底超精密CMP中抛光液的研究[J].半导体学报,2006,27(z1):400-402. |
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| 作者姓名： | 钟旻 张楷亮 宋志棠 封松林 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,纳米技术研究室,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100049,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,纳米技术研究室,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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中国科学院资助项目
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上海市应用材料科技合作共同计划
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中国博士后科学基金
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上海市科委科技计划
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美国SST公司资助项目 |
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| 摘 要： | 针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以提高抛光速率和抛光质量,采用测厚仪、AFM、台阶仪对抛光速率和表面进行了测试和表征.通过优化实验获得了高速率、高平整的抛光表面.去除速率(MRR)达697nm/min,表面粗糙度(RMS)降低至0.4516nm,在提高抛光速率的同时对硅片实现了超精密抛光.
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| 关 键 词： | 化学机械抛光 胶体SiO2 抛光速率 抛光液 硅衬底 超精密抛光 抛光液 研究 Si Substrate Polishing Fine CMP Slurry 硅片 表面粗糙度 去除速率 抛光表面 高平 高速率 优化实验 表征 测试 台阶仪 测厚仪 抛光质量 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0400-03 |
| 修稿时间： | 2005年12月20日 |
Research on CMP Slurry for Fine Polishing of Si Substrate |
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| Zhong Min,Zhang Kailiang,Song Zhitang,Feng Songlin.Research on CMP Slurry for Fine Polishing of Si Substrate[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(z1):400-402. |
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| Authors: | Zhong Min Zhang Kailiang Song Zhitang Feng Songlin |
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| Keywords: | |
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