| 氯霉素在Pt/GC离子注入修饰电极上的伏安行为及其测定 |
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| 引用本文： | 胡劲波,尚军,李启隆. 氯霉素在Pt/GC离子注入修饰电极上的伏安行为及其测定[J]. 分析试验室, 2000, 19(1): 27-29 |
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| 作者姓名： | 胡劲波 尚军 李启隆 |
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| 作者单位： | 北京师范大学化学系,北京,100875 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金!（No．29875003），教育部博士点基金!（No．98102709） |
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| 摘 要： | 氯霉素在浓度为０．１ ｍ ｏｌ／Ｌ 的ＮａＯＨ 溶液中，Ｐｔ／ＧＣ 离子注入修饰电极上有一还原峰，峰电位为 － ０．８０ Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ），氯霉素的浓度在 １．０×１０－ ５～１．０×１０－ ３ ｍ ｏｌ／Ｌ 范围内与峰电流成正比。检出限为５．０×１０－ ６ ｍ ｏｌ／Ｌ。已用于氯霉素眼药水的测定。用线性扫描和循环伏安法研究体系的性质。实验表明，是注入的Ｐｔ催化了氯霉素的还原；体系属准可逆过程。
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| 关 键 词： | 氯霉素 离子注入 修饰电极 伏安行为 |
Voltammetric Behaviour of Chloramphenicol at Ion Implantation Modified Electrode Pt/GC and Its determination |
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| HU Jing-bo,SHANG Jun,LI Qi-long. Voltammetric Behaviour of Chloramphenicol at Ion Implantation Modified Electrode Pt/GC and Its determination[J]. Chinese Journal of Analysis Laboratory, 2000, 19(1): 27-29 |
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| Authors: | HU Jing-bo SHANG Jun LI Qi-long |
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| Keywords: | Chloramphenicol ion implantation modified electrode voltammetric behaviour |
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