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| 一种新的有沟道注入的短沟MOSFET的阈电压解析模型 | |
| 引用本文： | 陈大同,李志坚.一种新的有沟道注入的短沟MOSFET的阈电压解析模型[J].电子学报,1990,18(6):9-13. |
| 作者姓名： | 陈大同 李志坚 |
| 作者单位： | 清华大学微电子所 (陈大同)，清华大学微电子所(李志坚) |
| 摘 要： | 本文提出一个非均匀掺杂、短沟道MOSFET阈电压的准二维解析模型。用此模型对各种不同条件下的微米、亚微米MOSFET的阈电压进行了计算,其结果与二维数值分析程序得到的结果相符甚好。本模型可用于电路分析程序,工艺容错分析及器件的优化设计。 |
| 关 键 词： | MOSFET 沟道 离子注入 阈电压 模型 |
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