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| 非晶SnO2：(Cu，In)薄膜的荧光特性及带尾态 | |
| 引用本文： | 张治国.非晶SnO2：(Cu，In)薄膜的荧光特性及带尾态[J].物理学报,2008,57(9):5823-5827. |
| 作者姓名： | 张治国 |
| 作者单位： | 泉州师范学院理工学院，泉州 362000 |
| 基金项目： | 泉州市科技计划项目(批准号：Z2001009)资助的课题 |
| 摘 要： | 用反应蒸发法在玻璃等衬底上制备出铜和铟掺杂的氧化锡SnO2：(Cu，In)薄膜.对制备薄膜的发光性质做了研究，制备样品为非晶态，具无定形结构.测量了薄膜在220—1100nm范围的透过率，得到的带隙宽度Eoptg=4.645eV.室温条件下对样品进行光致发光测量，得到了显著的紫外(276—550nm)蓝绿光连续谱，通过发光谱的研究给出了这种材料的隙态分布. |
| 关 键 词： | SnO2:(Cu In)薄膜， 非晶态， 光致发光， 局域态 |
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