| 一种有源零点补偿的片上LDO设计 |
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| 引用本文： | 胡云斌,周勇,胡永贵,顾宇晴.一种有源零点补偿的片上LDO设计[J].微电子学,2017,47(3):326-329. |
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| 作者姓名： | 胡云斌 周勇 胡永贵 顾宇晴 |
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| 作者单位： | 重庆邮电大学, 重庆 400065;模拟集成电路重点实验室, 重庆 400060,模拟集成电路重点实验室, 重庆 400060;重庆大学,重庆 400044,中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060,模拟集成电路重点实验室, 重庆 400060;西安交通大学, 西安 710049 |
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| 摘 要： | 提出了一种新颖的有源零点补偿LDO结构,实现了LDO在全负载范围内的稳定,1~10 MHz范围内的电源抑制比提高了10 dB。采用欠冲电压减小技术,显著减小了输出欠冲电压,提高了瞬态响应性能。基于SMIC 65 nm CMOS工艺,设计了输出电压为1 V、压差电压为200 mV、最大输出电流为100mA的无片外电容LDO。仿真结果显示,空载时LDO的相位裕度为64.3°,最大过冲和欠冲电压分别为52 mV和47 mV,满载时LDO的电源抑制比为－66 dB@10 kHz。
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| 关 键 词： | 低压差线性稳压器 有源零点补偿 无片外电容 电源抑制比 |
| 收稿时间： | 2016/6/22 0:00:00 |
Design of an On-Chip LDO with Active Zero Compensation |
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| HU Yunbin,ZHOU Yong,HU Yonggui and GU Yuqing.Design of an On-Chip LDO with Active Zero Compensation[J].Microelectronics,2017,47(3):326-329. |
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| Authors: | HU Yunbin ZHOU Yong HU Yonggui and GU Yuqing |
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| Institution: | Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing 400065, P.R.China;Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, Chongqing 400060, P.R.China,Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, Chongqing 400060, P.R.China;Chongqing University, Chongqing 400045, P.R.China,Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Electronics Technology Group Corp., Chongqing 400060, P.R.China and Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, Chongqing 400060, P.R.China;Xi''an Jiaotong University, Xi''an 710049, P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LDO Active zero compensation Off-chip capacitor-less PSRR |
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