| 基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型SOI LIGBT |
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| 引用本文： | 周骏,成建兵,袁晴雯,陈珊珊,吴宇芳,王勃.基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型SOI LIGBT[J].微电子学,2017,47(5):714-717. |
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| 作者姓名： | 周骏 成建兵 袁晴雯 陈珊珊 吴宇芳 王勃 |
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| 作者单位： | 南京邮电大学 电子科学与工程学院 射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室, 南京 210003,南京邮电大学 电子科学与工程学院 射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室, 南京 210003,南京邮电大学 电子科学与工程学院 射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室, 南京 210003,南京邮电大学 电子科学与工程学院 射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室, 南京 210003,南京邮电大学 电子科学与工程学院 射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室, 南京 210003,南京邮电大学 电子科学与工程学院 射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室, 南京 210003 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61274080) |
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| 摘 要： | 在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值电阻来使PN结阳极快速导通,阳极P+区中的空穴可以更快地注入漂移区,从而消除负阻效应。仿真结果表明,该新型LTGBT在保证关断速度不变的情况下,击穿电压为307 V(漂移区长度为18 μm)比,比常规SA-LIGBT提升了56%,并消除了负阻效应。
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| 关 键 词： | 阳极短路横向绝缘栅双极晶体管 击穿电压 反型层 负微分电阻效应 |
| 收稿时间： | 2016/12/3 0:00:00 |
A Novel Anode Weak Inversion Layer SOI LIGBT without NDR |
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| ZHOU Jun,CHENG Jianbing,YUAN Qingwen,CHEN Shanshan,WU Yufang and WANG Bo.A Novel Anode Weak Inversion Layer SOI LIGBT without NDR[J].Microelectronics,2017,47(5):714-717. |
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| Authors: | ZHOU Jun CHENG Jianbing YUAN Qingwen CHEN Shanshan WU Yufang and WANG Bo |
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| Institution: | National Joint Engineer. Lab. for Radio Frequency Integration and Micro Assembly Technology, College of Electronic Science and Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210003, P. R. China,National Joint Engineer. Lab. for Radio Frequency Integration and Micro Assembly Technology, College of Electronic Science and Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210003, P. R. China,National Joint Engineer. Lab. for Radio Frequency Integration and Micro Assembly Technology, College of Electronic Science and Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210003, P. R. China,National Joint Engineer. Lab. for Radio Frequency Integration and Micro Assembly Technology, College of Electronic Science and Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210003, P. R. China,National Joint Engineer. Lab. for Radio Frequency Integration and Micro Assembly Technology, College of Electronic Science and Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210003, P. R. China and National Joint Engineer. Lab. for Radio Frequency Integration and Micro Assembly Technology, College of Electronic Science and Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210003, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SA-LIGBT Breakdown voltage Inversion layer Negative differential resistance effect |
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