大直径碳化硅单晶衬底材料获鲁2013技术发明一等奖

<正>日前,山东省科学技术奖励大会在济南召开,会议表彰了2013年度为山东省科技创新和现代化建设作出突出贡献的科技工作者。山东大学晶体材料重点实验室徐现刚教授等完成的"大直径4H-SiC单晶衬底材料"获山东省技术发明一等奖。碳化硅是第三代半导体材料,用于高温大功率半导体器件,在雷达、高压输电等方面有广泛用途,碳化硅的生长需要在2100多度的高温环境里进行,它的硬度仅次于金刚石。