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提高铝箔比电容的新途径:引入高介电常数金属(陶瓷)氧化的
引用本文:闫康平,沈行素.提高铝箔比电容的新途径:引入高介电常数金属(陶瓷)氧化的[J].电子元件与材料,1997,16(1):13-17.
作者姓名:闫康平  沈行素
摘    要:介绍国外在高扩面倍率η,低介质膜厚度d的铝电解电容器中引入同εr值的其他阀金属氧化物和陶瓷,以期进一步提高铝箔比电容的新方法。

关 键 词:铝电解电容器  铝箔  比电容
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