| PLD法在不同氧分压下制备ZnO薄膜的XPS分析 |
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| 引用本文： | 何建廷,杨淑连,魏芹芹,宿元斌.PLD法在不同氧分压下制备ZnO薄膜的XPS分析[J].电子元件与材料,2013,32(8). |
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| 作者姓名： | 何建廷 杨淑连 魏芹芹 宿元斌 |
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| 作者单位： | 山东理工大学电气与电子工程学院,山东淄博,255049 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 在不同氧分压下用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)衬底上生长ZnO薄膜,对薄膜进行了X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)分析,研究了氧分压对所制薄膜结晶质量的影响.结果表明,当氧分压为0.13 Pa时,Zn 2p和O1s态电子的结合能较大.随着氧分压的增加,Zn 2p和O1s态电子的结合能变小,说明更多的Zn原子和O原子产生了结合.氧分压为6.50 Pa时,所制ZnO薄膜的XRD衍射峰半高宽最小,其Zn、O粒子数比最接近化学计量比,说明在此氧分压下生长的ZnO薄膜结晶质量最好.
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| 关 键 词： | XPS ZnO 脉冲激光沉积 氧分压 化学计量比 峰面积 结合能 |
XPS analysis of ZnO thin films obtained by pulsed laser deposition at various oxygen partial pressures |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | XPS ZnO pulsed laser deposition oxygen partial pressure stoichiometric ratio peak area binding energy |
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