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小富勒烯C28在Si(001)-c(2×1)表面吸附的密度泛函理论研究
引用本文:樊婷,姚淑娟,周成冈,韩波,吴金平.小富勒烯C28在Si(001)-c(2×1)表面吸附的密度泛函理论研究[J].武汉大学学报(理学版),2007,53(6):655-660.
作者姓名:樊婷  姚淑娟  周成冈  韩波  吴金平
作者单位:1. 中国地质大学 材料科学与化学工程学院,湖北 武汉,430074
2. 中国地质大学 材料科学与化学工程学院,湖北 武汉 430074;中国地质大学 理论化学与计算材料科学研究所,湖北 武汉 430074
3. 中国地质大学 材料科学与化学工程学院,湖北武汉 430074;中国地质大学 理论化学与计算材料科学研究所,湖北 武汉 430074
摘    要:采用第一原理密度泛函理论方法研究了小富勒烯C28在Si(001)-c(2×1)表面的化学吸附机理.分析了吸附前后基底和富勒烯构型的变化、吸附能、电荷转移以及电子态密度.结果表明C28与Si(001)表面具有很强的相互作用;基底和富勒烯分子发生了晶格松弛和结构扭曲;C28位于Si(001)表面沟渠位置的吸附构型最稳定,吸附能达到5.00 eV;Si(001)表面沉积C28后表面导电性能明显增强.

关 键 词:密度泛函理论  化学吸附
文章编号:1671-8836(2007)06-0655-06
修稿时间:2007年5月16日

Adsorption of a Small Fullerence,C28,on the Si(001)-c(2×1)Surface:A Density Functional Theory Study
FAN Ting,YAO Shujuan,ZHOU Chenggang,HAN Bo,WU Jinping.Adsorption of a Small Fullerence,C28,on the Si(001)-c(2×1)Surface:A Density Functional Theory Study[J].JOurnal of Wuhan University:Natural Science Edition,2007,53(6):655-660.
Authors:FAN Ting  YAO Shujuan  ZHOU Chenggang  HAN Bo  WU Jinping
Abstract:
Keywords:C28  Si(001)
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