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| 半导体材料研究的进展 | |
| 作者姓名： | 官达高 |
| 摘 要： | 半导体研究工作应該說是在1833年法拉第观察到硫化銀电阻率之負温度系数开始的。40年以后,F.布朗发現了硫化鉛与黃铁矿的整流現象;在此之前;W.史密斯也发現过同样的現象。1879年提出了霍尔效应以后,对半导体的研究起了推动作用。1833年美国又发明了硒整流器,1906年A.波希丁納研究了有机半导体蒽的光电导。1907至1909年,K.白特克及J.科尼斯貝格系統地利用霍尔效应研究了CuI等半导体。1924年开始,硒和氧化亚銅整流器巳进入了工业性貭的制造。自从1931年量子力学有了其独自的立場后,威尔逊以能带模型的形式为現代半导体理 |
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